Данные за 2011 год:
Впервые в России создан стенд проекционного нанолитографа с рабочей длиной волны 13,5 нм и расчетным разрешением 30 нм. Изображение наноструктуры с уменьшением 1:5 проецируется на фоторезисте с помощью двузеркального асферического объектива. Создание стенда свидетельствует о наличии в России ключевых технологий, позволяющих разрабатывать и производить литографическое оборудование, которое в ближайшие годы станет основным при производстве чипов с топологическими нормами 8-22 нм.
Данные за 2012 год:
Для создания стендов нанолитографии следующего поколения с пространственным разрешением до 8 нм предложены многослойные зеркала на основе La/B (La/B4C) для спектральной области вблизи 6.7 нм. Синтезированы La/B4C/C зеркала нормального падения со сверхтонкими углеродными барьерными слоями с рекордным коэффициентом отражения 58.6%, что позволяет начать разработку многозеркальных схем нанолитографов с рабочей длиной волны излучения 6.7 нм.
Не очень понял, что ты хотел сказать этим копипостом. Что ты перепутал тех процесс (30) и длину волны (13), приплел зачем то EUV и придумал контракт для Интела?
Потому что этот "самогонный аппарат" Интел не купит. 8-22 нм это 1274, им интересно намного меньше нм. И есть компании, которые предложат такое уже в этом году.